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HMZBG 型动态无功补偿柜
    发布时间: 2021-11-18 08:56    
HMZBG  型动态无功补偿柜

概述:


      HMZBG型SVG的外形结构与油浸式变压器基本相同,主要由壳体、磁阀式铁芯、绕组和变压器油等部分组成。壳体采用与油浸变压器相同的设计结构,壳体内部并排安装三相相同的单相磁阀式可控电抗器,组成三角形接线方式,其高压进线和控制绕组进出线,由壳体顶部通过绝缘瓷瓶连接,励磁控制箱安装固定在壳体外部。

      每个单相磁阀式可控电抗器的结构如上图所示,采用四柱式结构,由两个等截面的主铁芯和为使电抗器 的电流正负半波对称的两个等截面旁辆组成,旁辆的截面等于芯柱的截面。中间两柱的每柱中间部分有一段 小截面的铁芯段构成磁阀,并将两柱分别分为上下两段,每段上各套有一个绕组,上段的上部两个绕组端和下段的下部两个绕组端分别并接在一起,上段的下部两个绕组端下段的上部两个绕组端则交叉串联连接,每柱上绕组的下部和下绕组的上部均设有中间抽头,每柱上、下两个中间抽头间接有一支SCR ( 可 控 硅 ) ,  且两柱上的SCR 极性相反,中间交叉连接点的两端之间接有一支二极管

      本装置广泛适用于电力无功变化迅速,电压、无功、谐波需要控制或综合治理的供用电场所。我公司生 产的HMZBG 型 SVG, 具有响应速度快、可靠性高、连续无级可调、占地面积小等显著特点,是电力、冶金、 煤炭、化工、电气化铁路等行业理想的动态无功补偿装置。


可控电抗器原理:


 



工作原理:


      磁控电抗器是利用直流助磁的原理,即利用附加自流励磁,磁化电抗器铁芯,通过调节磁控电抗器铁芯 的磁饱和程度,改变铁芯的磁导率,实现电抗值得连续可调。

      在电抗器的整个容量调节范围内,仅有小截面段的铁芯磁路工作在饱和区,而大截面段始终工作于未饱 和线性区。左图为铁芯磁化曲线示意图,曲线中间部分为未饱和线性区,左、右两边为极限饱和线性区。若 使电抗器工作在极限饱和线性区,不仅可以减小谐波含量,同时亦能大幅减低铁芯磁滞损耗,电抗器铁损控 制在理想状态。

      下图为电抗器外加交流电压时的两种工作状态。当电抗器绕组接至电源电压时,在可控硅T1、T2 两端 感应出电压。该电压正半周触发导通可控硅T1,在回路中产生直流控制电流;电源电压负半周期触发导通可 控 硅T2, 也在回路中形成直流控制电流,使电抗器工作铁芯饱和,输出电流增加。可控电抗器输出电流大小 取决于晶闸管控制角a,a越小,产生的控制电流越强,从而电抗器工作铁芯磁饱和程度越高,输出电流越 大。因此,改变晶闸管控制角,可平滑调节电抗器容量。




设计选型:



技术指标

 

可控硅阀结构:箱式;

控制系统:全数字控制系统;

控制方式:无功功率;调节方式:分相调节;

噪声水平: <68分贝;系统响应时间:50ms ~100ms;

自身谐波含量小,3次谐波电流是额定基波电流的7%左右,5次谐波电流为2.5%左右;

无功调节范围是1-100%,使用后的功率因数能达到0.95以上;

地震烈度: VI度;

使用年限: >20年。



控制系统采用DSP 全数字处理芯片具有高度的可靠性和稳定性,而且运算速度快,能够实现复杂的运 算;

模块化设计,扩展灵活;

可控硅采用高质量元件,光电触发, BOD 保护,系统抗干扰强,运行可靠;

监控部分有上位监控机,人机显示界面及其它的相应终端器件构成,可以对系统的电能质量进行实时、 连续的监测;

可以直接运行于任何电压等级电网且安装简单。

可实现三相同时控制,分相控制和三相平衡控制。

提 供RS232、RS485 以 及CAN 总线等通讯接口,便于实现远程控制和无人值守;

具有硬保护和后备微机保护。

 



环境温度: -25℃~+45℃,且在24小时内测得的平均温度不超过+35℃;

相对湿度: 24小时内测得的相对湿度的平均值不超过95%,月相对湿度平均值不超过90%;

海拔高度:≤2000m, 特殊海拔高度须和厂家沟通确定;

风    速:不超过34m/s ( 户 外 ) ;

环境污秽等级: III 级。

 

    


用户订货时应提供如下资料:

系统参数;

原系统的功率因数和预期要达到的功率因数;

用户主要用电设备及用电情况;

用户电力一次系统图;

系统原有无功补偿情况,安装容量等;

现场谐波背景及闪变情况;安装条件(户内安装或户外安装,安装尺寸)